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参数资料
| 型号： | IXTV280N055TS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 200nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTV280N055T
IXTV280N055TS
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
280
240
200
160
120
80
40
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
350
300
250
200
150
100
50
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
280
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Junction Temperature
240
V GS = 10V
9V
8V
2.0
V GS = 10V
200
160
120
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 280A
I D = 140A
80
40
0
5V
1.0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
70
1.8
60
1.6
1.4
V GS = 10V
15V - - - -
50
40
30
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXTV30N50PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTV30N60PS | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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