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参数资料
| 型号： | IXTV36N50PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTH 36N50P
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
IXTV 36N50P
IXTV 36N50PS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 36 A
≤ 170 m ?
TO-3P (IXTQ)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
500
500
± 30
V
V
V
G
D
S
(TAB)
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
± 40
36
108
36
50
1.5
10
V
A
A
A
mJ
J
V/ns
TO-247 (IXTH)
TO-268 (IXTT)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 3 ?
P D
T C = 25 ° C
540
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
G
S
D (TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
PLUS220 (IXTV)
M d
Mounting torque(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
S
F C
Weight
Mounting force (PLUS220)
TO-247
TO-268
PLUS220
TO-3P
20..120/4.5..15
6
5
2
5.5
N/lb
g
g
g
g
G
D
PLUS220 SMD(IXTV..S)
D (TAB)
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
V DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
500 V
G = Gate
G
S
D = Drain
D (TAB)
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
3.0
5.0
± 100
V
nA
S = Source
Features
TAB = Drain
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
25
250
μ A
μ A
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
170 m ?
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99228E(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV96N25T | MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 |
| IXTX110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| IXTX17N120L | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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