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参数资料
| 型号： | IXTV36N50PS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTH 36N50P IXTQ 36N50P IXTT 36N50P
IXT V36N50P IXTV 36N50PS
36
Fig. 3. Output Char acte r is tics
@ 125 o C
3.1
Fig. 4. R DS(on ) Nor m alize d to I D = 18A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
32
28
24
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
7V
6V
5.5V
5V
4.5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 36A
I D = 18A
0
2
4
6 8 10
V D S - V olts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to
Fig. 6. Dr ain Cur r e nt vs . Cas e
3.4
3
2.6
I D = 18A V alue vs . Dr ain Cur r e nt
V GS = 10V
T J = 125oC
40
35
30
Te m pe r atur e
25
2.2
20
1.8
1.4
15
10
1
0.6
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30 40 50
I D - A mperes
60
70
80
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
55
50
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Tr ans conductance
45
40
35
30
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V G S - V olts
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - A mperes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTV96N25T | MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220 |
| IXTX110N20L2 | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| IXTX17N120L | MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247 |
| IXTX24N100 | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 |
| IXTX90N25L2 | MOSFET N-CH 90A 250V PLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTV60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV72N30T | 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTX110N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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