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参数资料
| 型号： | IXTY08N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA08N100P IXTP08N100P
IXTY08N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-220 (IXTP) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V DS = 30V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 50 Ω (External)
0.35
0.60
240
18
3.6
19
37
35
34
11.3
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
1.7
6.7
nC
nC
Pins:
1 - Gate
2 - Drain
R thJC
R thCS
(TO-220)
0.50
3.0 °C/W
°C/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
0.8 A
2.4 A
1.5 V
t rr
I F = 0.8A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
750
ns
TO-252 (IXTY) Outline
Note 1: Pulse Test, t ≤ 300 μ s; Duty Cycle, d ≤ 2%.
Pins:
Dim.
1 - Gate
3 - Source
Millimeter
2,4 - Drain
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
TO-263 (IXTA) Outline
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
IXYS Reserves The Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY10P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06T | 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
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