- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录466 > IXTY08N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTY08N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA08N100P IXTP08N100P
IXTY08N100P
0.8
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
1.2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
0.7
7V
7V
1.0
0.6
0.8
0.5
0.4
6V
0.6
6V
0.3
0.4
0.2
0.1
0
5V
0.2
0.0
5V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
5
10
15
20
25
30
35
0.8
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.4A Value
vs. Junction Temperature
0.7
0.6
0.5
V GS = 10V
7V
6V
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 0.8A
1.8
0.4
0.3
1.4
I D = 0.4A
0.2
0.1
0
5V
1.0
0.6
0.2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 0.4A Value
vs. Drain Current
0.9
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY08N50D2 | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK |
| IXTY1N80P | MOSFET N-CH 800V 1A TO-252 |
| IXTY1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA |
| IXTY1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| IXTY2N60P | MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY08N120P | 功能描述:MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY08N50D2 | 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY10P15T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06T | 功能描述:MOSFET 12 Amps 6V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY12N06TTRL | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。