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参数资料
| 型号： | IXTY55N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP55N075T
IXTY55N075T
55
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
160
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
50
45
V GS = 10V
9V
8V
140
V GS = 10V
9V
40
120
35
100
8V
30
25
20
7V
6V
80
60
7V
15
40
6V
10
5
0
5V
20
0
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
55
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 27.5A Value
vs. Junction Temperature
50
45
40
35
30
25
20
15
10
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
V GS = 10V
I D = 55A
I D = 27.5A
5V
5
0
0.8
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 27.5A Value
vs. Drain Current
60
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.8
3.4
3
2.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
55
50
45
40
35
30
2.2
1.8
1.4
25
20
15
10
1
0.6
T J = 25oC
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
| IXTZ550N055T2 | 功能描述:MOSFET 550Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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