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参数资料
| 型号： | IXTY55N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP55N075T
IXTY55N075T
90
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
80
T J = - 40oC
35
T J = - 40oC
70
60
25oC
150oC
30
25oC
25
50
40
20
125oC
30
20
10
0
15
10
5
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 37.5V
120
100
80
60
8
7
6
5
4
I D = 10A
I G = 1mA
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
5
10
15
20
25
30
35
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
C rss
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
10.00
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
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| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
| IXTZ550N055T2 | 功能描述:MOSFET 550Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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