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参数资料
| 型号： | IXTY55N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 55A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTP 55N075T
IXTY 55N075T
85
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
85
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
80
75
R G = 18 Ω
V GS = 10V
80
75
R G = 18 Ω
V GS = 10V
70
V DS = 37.5V
70
V DS = 37.5V
T J = 25oC
65
60
55
65
60
55
50
45
40
I D = 30A
50
45
40
35
35
T J = 125oC
30
25
I D = 10A
30
25
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
150
t r
t d(on) - - - -
31
42
54
130
110
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 30A
29
27
40
38
t f t d(off) - - - -
R G = 18 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 10A
50
46
90
25
36
42
70
I D = 10A
23
34
38
50
21
I D = 30A
30
10
19
17
32
30
34
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
42
54
95
130
41
t f
t d(off) - - - -
52
90
120
40
39
R G = 18 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
50
48
85
80
110
100
38
37
46
44
75
70
I D = 10A
90
80
36
T J = 125oC
42
65
60
70
60
35
34
40
38
55
50
I D = 30A
50
40
33
36
45
t f
t d(off) - - - -
30
32
34
40
T J = 125oC, V GS = 10V
20
31
30
T J = 25oC
32
30
35
30
V DS = 37.5V
10
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_55N075T (1V) 7-13-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTZ550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY5N50P | 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.3 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY64N055T | 功能描述:MOSFET 64 Amps 55V 13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTYH21N50 | 制造商:IXYCOR 功能描述: |
| IXTZ550N055T2 | 功能描述:MOSFET 550Amps 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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