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参数资料
| 型号： | IXTZ550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| 标准包装： | 9 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DE475 |
| 供应商设备封装： | DE475 |
| 包装： | 管件 |
IXTZ550N055T2
300
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
350
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 15V
250
10V
9V
300
8V
7V
10V
200
6V
250
200
8V
7V
6V
150
5V
150
5V
100
100
50
0
4V
50
0
4V
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
300
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
2.0
V DS - Volts
Fig. 4. Normalized R DS(on) vs. Junction Temperature
250
V GS = 15V
10V
8V
1.8
V GS = 10V
I D < 550A
7V
200
150
100
50
0
6V
5V
4V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.4
V DS - Volts
Fig. 5. Normalized R DS(on) vs. Drain Current
600
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
15V
T J = 175oC
500
400
1.6
300
1.4
1.2
200
T J = 25oC
1.0
100
0.8
0.6
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
| JN5139/001,531 | MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
| IXUC160N075 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC200N055 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC60N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
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