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参数资料
| 型号： | IXTZ550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| 标准包装： | 9 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DE475 |
| 供应商设备封装： | DE475 |
| 包装： | 管件 |
IXTZ550N055T2
Fig. 13. Resistive Turn-on Rise Time
Fig. 14. Resistive Turn-on Rise Time
48
46
44
42
vs. Junction Temperature
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
48
46
44
42
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
vs. Drain Current
T J = 125oC
40
I
D
= 200A
40
38
38
36
I
D
= 100A
36
T J = 25oC
34
32
34
32
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on Switching Times
vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Junction Temperature
400
120
350
150
350
300
250
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 200A
105
90
75
300
250
200
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
140
130
120
200
60
150
I D = 200A
110
150
100
I D = 100A
45
30
100
I D = 100A
100
50
15
50
90
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0
0
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
80
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off Switching Times
vs. Gate Resistance
350
180
500
500
300
250
T J = 125oC
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 27.5V
160
140
400
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 27.5V
I D = 200A, 100A
400
200
120
300
300
150
T J = 25oC
100
200
200
100
80
50
0
T J = 125oC
60
40
100
0
100
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
| JN5139/001,531 | MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
| IXUC160N075 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC200N055 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC60N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
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