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参数资料
| 型号： | IXTZ550N055T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
| 标准包装： | 9 |
| 系列： | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 550A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 595nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DE475 |
| 供应商设备封装： | DE475 |
| 包装： | 管件 |
IXTZ550N055T2
220
200
180
160
Fig. 7. Input Admittance
250
200
T J = - 40oC
Fig. 8. Transconductance
140
120
150
25oC
150oC
100
80
T J = 150oC
25oC
- 40oC
100
60
40
20
0
50
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 27.5V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 275A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
100
200
300
400
500
600
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
10,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10
Ciss
Coss
1,000
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1
0.1
f = 1 MHz
Crss
10
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
100ms
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1
10
100
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXUC160N075 | MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 |
| IXUN280N10 | MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B |
| JF01PE | INDICATOR SQUARE YELLOW PC |
| JN5121-000-M00T | MODULE 802.15.4 W/CERM ANT |
| JN5139/001,531 | MCU 802.15.4 32BIT 2.4G 56-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXUC100N055 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC120N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
| IXUC160N075 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC200N055 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXUC60N10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N ISOPLUS220 |
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