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参数资料
| 型号： | IXXH50N60B3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IXXH50N60B3 |
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25C
0
10
20
30
40
50
60
70
00.5
11.5
2
2.5
3
VCE - Volts
IC
-
A
m
pere
s
VGE = 15V
14V
13V
10V
8V
7V
12V
9V
11V
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
5
10
15
20
25
30
VCE - Volts
IC
-
A
m
pere
s
VGE = 15V
7V
9V
11V
13V
12V
14V
10V
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 150C
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
VCE - Volts
IC
-
A
m
peres
VGE = 15V
14V
13V
10V
12V
9V
7V
6V
11V
8V
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
TJ - Degrees Centigrade
V
CE
(s
at
)-
N
o
rm
a
liz
e
d
VGE = 15V
I C = 36A
I C = 18A
I C = 72A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage vs.
Gate-to-Emitter Voltage
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
8
9
10
11
12
13
14
15
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 72A
TJ = 25C
36A
18A
Fig. 6. Input Admittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE - Volts
IC
-
A
m
peres
TJ = 150C
25C
- 40C
IXXA50N60B3 IXXP50N60B3
IXXH50N60B3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXXH75N60C3D1 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
| J-785-12 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-76 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-56 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXXH50N60B3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4 | 功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V XPT IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 900V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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