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参数资料
型号： IXXH50N60B3
厂商： IXYS CORP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封装： TO-247, 3 PIN
文件页数： 6/6页
文件大小： 226K
代理商： IXXH50N60B3
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXXA50N60B3 IXXP50N60B3
IXXH50N60B3
IXYS REF: IXX_50N60B3D1(5D)02-23-11
Fig. 20. Inductive Turn-on Switching Times vs.
Collector Current
0
20
40
60
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120
140
160
15
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45
50
55
60
65
70
75
IC - Amperes
tr
i-
Na
n
o
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td
(on
) -
N
ano
se
co
nds
t r i
td(on) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
TJ = 150C
TJ = 25C
Fig. 21. Inductive Turn-on Switching Times vs.
Junction Temperature
20
40
60
80
100
120
140
160
180
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
tr
i-
N
ano
se
co
nds
20
23
26
29
32
35
38
41
44
td
(on
) -
N
a
nosecon
ds
t r i
td(on) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 72A
I C = 36A
Fig. 19. Inductive Turn-on Switching Times vs.
Gate Resistance
0
40
80
120
160
200
240
5
10
152025
303540
4550
RG - Ohms
tr
i-
Nanos
ec
ond
s
0
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40
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80
100
120
td
(on
) -
Nano
se
conds
t r i
td(on) - - - -
TJ = 150C, VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 72A
I C = 36A
相关PDF资料
PDF描述
IXXH75N60C3D1 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
J-7-V3 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT
J-785-12 COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL
J-786-76 COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL
J-786-56 COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL
相关代理商/技术参数
参数描述
IXXH50N60B3D1 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXXH50N60C3 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXXH50N60C3D1 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXXH60N60B4 功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V XPT IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXXH60N60B4H1 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 900V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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