- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录176112 > IXXH50N60B3 (IXYS CORP) 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXXH50N60B3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IXXH50N60B3 |
2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.
Gate Resistance
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
5
1015
202530
35
404550
RG - Ohms
E
of
f-
M
illiJ
o
u
le
s
1
2
3
4
5
6
E
on
-
M
illiJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
TJ = 150C , VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 36A
I C = 72A
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Gate Resistance
100
120
140
160
180
200
220
240
5
10152025
3035404550
RG - Ohms
tf
i-
N
ano
se
conds
0
50
100
150
200
250
300
350
td
(of
f) -
N
anosec
on
ds
t f i
td(off) - - - -
TJ = 150C, VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 36A
I C = 72A
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.
Collector Current
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
IC - Amperes
E
of
f-
M
illi
Jo
u
le
s
0
1
2
3
4
5
E
on
-
M
illiJ
o
u
le
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
TJ = 150C
TJ = 25C
Fig. 15. Inductive Switching Energy Loss vs.
Junction Temperature
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
E
of
f-
M
illiJ
ou
le
s
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
E
on
-
M
illiJ
oule
s
Eoff
Eon - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 36A
I C = 72A
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Collector Current
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
IC - Amperes
tf
i-
N
anosec
on
ds
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
td
(of
f) -
N
anosec
o
nds
t f i
td(off) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
TJ = 150C
TJ = 25C
Fig. 18. Inductive Turn-off Switching Times vs.
Junction Temperature
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
tf
i-
N
a
n
o
se
conds
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
td
(of
f) -
N
anosec
on
ds
t f i
td(on) - - - -
RG = 5 , VGE = 15V
VCE = 360V
I C = 72A
I C = 36A
IXXA50N60B3 IXXP50N60B3
IXXH50N60B3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXXH75N60C3D1 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
| J-785-12 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-76 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-56 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXXH50N60B3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4 | 功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V XPT IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 900V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。