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参数资料
| 型号： | IXXH50N60B3 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封装： | TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IXXH50N60B3 |
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXXA50N60B3 IXXP50N60B3
IXXH50N60B3
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
Z
(th)JC
-
C
/W
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
aaaasss
0.4
Fig. 7. Transconductance
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0
10
20
30405060
70
8090
IC - Amperes
g
f
s-
S
iem
en
s
TJ = - 40C, 25C, 150C
Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
100
200
300
400
500
600
VCE - Volts
IC
-
A
m
per
es
TJ = 150C
RG = 5
dv / dt < 10V / ns
Fig. 8. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1020
3040
5060
70
QG - NanoCoulombs
V
GE
-
V
o
lts
VCE = 300V
I C = 36A
I G = 10mA
Fig. 9. Capacitance
10
100
1,000
10,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VCE - Volts
C
apaci
ta
n
ce
-
P
ic
o
F
a
rad
s
f = 1 MHz
Cies
Coes
Cres
Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area
0
1
10
100
1,000
1
10
100
1000
VDS - Volts
ID
-
A
m
p
e
re
s
TJ = 175C
TC = 25C
Single Pulse
25s
1ms
10ms
VCE(sat) Limit
DC
100s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXXH75N60C3D1 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| J-7-V3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 7A, 14VDC, 3.4mm, PANEL MOUNT |
| J-785-12 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-76 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
| J-786-56 | COPPER ALLOY, TIN FINISH, RING TERMINAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXXH50N60B3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH50N60C3D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4 | 功能描述:IGBT 晶体管 GenX3 600V XPT IGBTs RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXXH60N60B4H1 | 功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 900V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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