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参数资料
| 型号： | JAN1N5807CB |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | JAN1N5807CB |
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
ULTRAFAST RECOVERY GLASS
RECTIFIERS
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5807CB thru 1N5811CB
1N5807CB–1N5811CB
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
VBR
Minimum Breakdown Voltage: The minimum voltage the device will exhibit at a specified current.
VRWM
Working Peak Reverse Voltage: The maximum peak voltage that can be applied over the operating
temperature range.
VF
Maximum Forward Voltage: The maximum forward voltage the device will exhibit at a specified current.
IR
Maximum Leakage Current: The maximum leakage current that will flow at the specified voltage and
temperature.
C
Capacitance: The capacitance in pF at a frequency of 1 MHz and specified voltage
trr
Reverse Recovery Time: The time interval between the instant the current passes through zero when
changing from the forward direction to the reverse direction and a specified recovery decay point after a peak
reverse current is reached.
GRAPHS
FIGURE 1
FIGURE 2
TYPICAL FORWARD CURRENT
TYPICAL REVERSE CURRENT vs. VOLTAGE
vs. FORWARD VOLTAGE
FIGURE 3
FIGURE 4
OUTPUT CURRENT vs LEAD TEMPERATURE
FORWARD PULSE CURRENT vs. DURATION
Microsemi
Scottsdale Division
Page 2
Copyright
2008
2-25-2008 REV A
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANTX1N5807CB | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTXV1N5807CB | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5811CB | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JAN1N5809CB | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| JANTX1N5809CB | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| JAN1N5807CBUS | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) LAW - Bulk |
| JAN1N5807URS | 功能描述:Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| JAN1N5807US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5809 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk |
| JAN1N5809URS | 功能描述:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
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