参数资料
型号: JAN1N5807CB
厂商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分类: 整流器
英文描述: 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: HERMETIC SEALED, GLASS, E, 2 PIN
文件页数: 3/3页
文件大小: 209K
代理商: JAN1N5807CB
VOIDLESS-HERMETICALLY-SEALED
ULTRAFAST RECOVERY GLASS
RECTIFIERS
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N5807CB thru 1N5811CB
1N5807CB–1N5811CB
FIGURE 6
FIGURE 7
MAXIMUM LEAD TEMP. vs. PD
MULTIPLE SURGE CURRENT vs. DURATION
PACKAGE DIMENSIONS
Lead Tolerance = + .002 -.003 in
*Includes sections of the lead or fillet over which the lead diameter is uncontrolled.
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2008
2-25-2008 REV A
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
JAN1N5807CBUS 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) LAW - Bulk
JAN1N5807URS 功能描述:Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1
JAN1N5807US 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk
JAN1N5809 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) (UFR) - Bulk
JAN1N5809URS 功能描述:Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/477 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr,F 时的电容:60pF @ 10V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1