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参数资料
| 型号： | JDV2S10FS |
| 元件分类： | 变容二极管 |
| 英文描述： | UHF BAND, 7.85 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封装： | 1-1L1A, FSC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 209K |
| 代理商： | JDV2S10FS |
JDV2S10FS
2005-08-01
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JDV2S10S | UHF BAND, 7.85 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JDV2S10S | UHF BAND, 7.8 pF, 10 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JDV2S13S | UHF BAND, 6.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JDV2S14E | 60.5 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JDV2S16S | UHF BAND, 3.59 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| JDV2S10S | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type |
| JDV2S10T | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:VCO for UHF Band Radio |
| JDV2S13FS | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Type |
| JDV2S13S | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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