- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录299245 > K6F2008V2E-YF70 256K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | K6F2008V2E-YF70 |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDSO32 |
| 封装： | 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | K6F2008V2E-YF70 |
Revision 1.0
K6F2008V2E Family
7
September 2001
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
CS1
tWC
tWR(4)
tAS(3)
tDW
tDH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
CS2
tCW(2)
tWP(1)
tAW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
tCW(2)
tWR(4)
CS2
tCW(2)
tWP(1)
tDW
tDH
tOW
tWHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
tWC
tAW
tAS(3)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K6L0908V2A-TD850 | 64K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
| K7A163280A-QI16 | 512K X 32 CACHE SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| K7A403601A-QC140 | 128K X 36 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| K85X-AA-15P-K30 | 15 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
| K85X-AA-15P-KJ15 | 15 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| K6F2016R4G | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM |
| K6F2016R4G-F | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM |
| K6F2016R4G-FF70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM |
| K6F2016R4G-FF85 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM |
| K6F2016R4G-XF70 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。