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参数资料
| 型号： | K6T1008C2C |
| 厂商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 128K的x8位低功耗CMOS静态RAM |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 189K |
| 代理商： | K6T1008C2C |
PRELIMINARY
K6T1008C2C Family
CMOS SRAM
Revision 2.0
November 1997
7
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
tCW(2)
tWR(4)
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
CS1
tWC
tWR(4)
tAS(3)
CS2
tCW(2)
tWP(1)
tDW
tDH
tOW
tWHZ
Data Undefined
Data Valid
WE
Data in
Data out
tDW
tDH
Data Valid
WE
Data in
Data out
High-Z
CS2
tWC
tAW
tAS(3)
tCW(2)
tWP(1)
tAW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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