参数资料
型号: KMPC885ZP80
厂商: Freescale Semiconductor
文件页数: 3/87页
文件大小: 0K
描述: IC MPU POWERQUICC 80MHZ 357PBGA
标准包装: 2
系列: MPC8xx
处理器类型: 32-位 MPC8xx PowerQUICC
速度: 80MHz
电压: 3.3V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 357-BBGA
供应商设备封装: 357-PBGA(25x25)
包装: 托盘
MPC885/MPC880 PowerQUICC Hardware Specifications, Rev. 7
Freescale Semiconductor
11
Power Dissipation
5
Power Dissipation
Table 5 provides information on power dissipation. The modes are 1:1, where CPU and bus speeds are
equal, and 2:1, where CPU frequency is twice bus speed.
NOTE
The values in Table 5 represent VDDL-based power dissipation and do not
include I/O power dissipation over VDDH. I/O power dissipation varies
widely by application due to buffer current, depending on external circuitry.
The VDDSYN power dissipation is negligible.
6
DC Characteristics
Table 6 provides the DC electrical characteristics for the MPC885/MPC880.
Table 5. Power Dissipation (PD)
Die Revision
Bus Mode
CPU
Frequency
Typical1
1 Typical power dissipation at V
DDL = VDDSYN = 1.8 V, and VDDH is at 3.3 V.
Maximum2
2 Maximum power dissipation at V
DDL = VDDSYN = 1.9 V, and VDDH is at 3.5 V.
Unit
0
1:1
66 MHz
310
390
mW
80 MHz
350
430
mW
2:1
133 MHz
430
495
mW
Table 6. DC Electrical Specifications
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Operating voltage
VDDL (core)
1.7
1.9
V
VDDH (I/O)
3.135
3.465
V
VDDSYN
1
1.7
1.9
V
Difference
between VDDL
and VDDSYN
—100
mV
Input high voltage (all inputs except EXTAL and EXTCLK)2
VIH
2.0
3.465
V
Input low voltage3
VIL
GND
0.8
V
EXTAL, EXTCLK input high voltage
VIHC
0.7*(VDDH)VDDH
V
Input leakage current, Vin = 5.5 V (except TMS, TRST, DSCK and DSDI
pins) for 5-V tolerant pins 2
Iin
100
A
Input leakage current, Vin = VDDH (except TMS, TRST, DSCK, and DSDI)
IIn
—10
A
Input leakage current, Vin = 0 V (except TMS, TRST, DSCK and DSDI
pins)
IIn
—10
A
Input capacitance4
Cin
—20
pF
相关PDF资料
PDF描述
KMSC7118VM1200 DSP 16BIT W/DDR CTRLR 400-MAPBGA
KS8001S TR TXRX 10/100 LINKMD 3.3V 48-SSOP
KS8001SI TXRX 10/100 LINKMD 3.3V 48-SSOP
KS8695PI IC ARM9 W/MMU 5PORT 289-PBGA
KS8695PX IC SWITCH 10/100 1PORT 289PBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
KMPG666-4 制造商:Kingstate Electronics Corporation 功能描述:
KMQ100VB102M18X35LL 功能描述:铝质电解电容器 - 带引线 1000UF 100V RoHS:否 制造商:Kemet 引线类型: 电容:220 uF 容差:20 % 电压额定值:25 V 工作温度范围: 端接类型:Radial 外壳直径:8 mm 外壳长度:11 mm 引线间隔:5 mm 产品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封装:Bulk
KMQ160VS102M22X40T2 功能描述:CAP ALUM 1000UF 160V 20% SNAP RoHS:否 类别:电容器 >> 铝 系列:KMQ 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR(等效串联电阻):- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向,Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径(12.50mm) 高度 - 座高(最大):1.063"(27.00mm) 引线间隔:0.197"(5.00mm) 表面贴装占地面积:- 包装:散装
KMQ160VS102M25X35T2 功能描述:CAP ALUM 1000UF 160V 20% SNAP RoHS:否 类别:电容器 >> 铝 系列:KMQ 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR(等效串联电阻):- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向,Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径(12.50mm) 高度 - 座高(最大):1.063"(27.00mm) 引线间隔:0.197"(5.00mm) 表面贴装占地面积:- 包装:散装
KMQ160VS122M25X40T2 功能描述:CAP ALUM 1200UF 160V 20% SNAP RoHS:否 类别:电容器 >> 铝 系列:KMQ 标准包装:2,000 系列:142 RHS 电容:4700µF 额定电压:10V 容差:±20% 寿命@温度:105°C 时为 2000 小时 工作温度:-40°C ~ 105°C 特点:通用 纹波电流:1.26A ESR(等效串联电阻):- 阻抗:- 安装类型:通孔 封装/外壳:径向,Can 尺寸/尺寸:0.492" 直径(12.50mm) 高度 - 座高(最大):1.063"(27.00mm) 引线间隔:0.197"(5.00mm) 表面贴装占地面积:- 包装:散装