- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19799 > LCMXO2280C-3BN256I (Lattice Semiconductor Corporation)IC PLD 2280LUTS 211I/O 256CABGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | LCMXO2280C-3BN256I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 14/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD 2280LUTS 211I/O 256CABGA |
| 标准包装： | 119 |
| 系列： | MachXO |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 5.1ns |
| 电压电源 - 内部： | 1.71 V ~ 3.465 V |
| 宏单元数： | 1140 |
| 输入/输出数： | 211 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 256-LFBGA，CSPBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 220-1073 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页当前第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页
Architecture
MachXO Family Data Sheet
Bus Size Matching
All of the multi-port memory modes support different widths on each of the ports. The RAM bits are mapped LSB
word 0 to MSB word 0, LSB word 1 to MSB word 1 and so on. Although the word size and number of words for
each port varies, this mapping scheme applies to each port.
RAM Initialization and ROM Operation
If desired, the contents of the RAM can be pre-loaded during device configuration. By preloading the RAM block
during the chip configuration cycle and disabling the write controls, the sysMEM block can also be utilized as a
ROM.
Memory Cascading
Larger and deeper blocks of RAMs can be created using EBR sysMEM Blocks. Typically, the Lattice design tools
cascade memory transparently, based on specific design inputs.
Single, Dual, Pseudo-Dual Port and FIFO Modes
Figure 2-12 shows the five basic memory configurations and their input/output names. In all the sysMEM RAM
modes, the input data and address for the ports are registered at the input of the memory array. The output data of
the memory is optionally registered at the memory array output.
Figure 2-12. sysMEM Memory Primitives
AD[12:0]
DI[35:0]
CLK
CE
RST
EBR
DO[35:0]
ADA[12:0]
DIA[17:0]
CLKA
CEA
RSTA
WEA
EBR
ADB[12:0]
DIB[17:0]
CEB
CLKB
RSTB
WEB
WE
CS[2:0]
AD[12:0]
Single Port RAM
CSA[2:0]
DOA[17:0]
ADW[12:0]
DI[35:0]
True Dual Port RAM
CSB[2:0]
DOB[17:0]
ADR[12:0]
CLK
CE
RST
CS[2:0]
EBR
DO[35:0]
CLKW
CEW
WE
RST
CS[2:0]
EBR
DO[35:0]
CER
CLKR
ROM
Pseudo-Dual Port RAM
DO[35:0]
DI[35:0]
CLKW
RSTA
WE
CEW
EBR
CLKR
RSTB
RE
RCE
FF
AF
EF
AE
FIFO
2-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LCMXO1200E-4TN100C | IC FPGA 1.2KLUTS 100TQFP |
| GSM36DTAN-S273 | CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD |
| HMC31DRES-S93 | CONN EDGECARD 62POS .100 EYELET |
| LCMXO1200C-4TN100C | IC PLD 1200LUTS 73I/O 100-TQFP |
| GEC25DRYN-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO2280C-3FT256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FT256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FT324C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 271 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FT324I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 271 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FTN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTS 211 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。