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参数资料
| 型号： | LCMXO2280C-3FT324I |
| 厂商： | LATTICE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | PLD |
| 中文描述： | FLASH PLD, 5.1 ns, PBGA324 |
| 封装： | 19 X 19 MM, FTBGA-324 |
| 文件页数： | 6/96页 |
| 文件大小： | 1389K |
| 代理商： | LCMXO2280C-3FT324I |
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2-11
Architecture
Lattice Semiconductor
MachXO Family Data Sheet
Bus Size Matching
All of the multi-port memory modes support different widths on each of the ports. The RAM bits are mapped LSB
word 0 to MSB word 0, LSB word 1 to MSB word 1 and so on. Although the word size and number of words for
each port varies, this mapping scheme applies to each port.
RAM Initialization and ROM Operation
If desired, the contents of the RAM can be pre-loaded during device configuration. By preloading the RAM block
during the chip configuration cycle and disabling the write controls, the sysMEM block can also be utilized as a
ROM.
Memory Cascading
Larger and deeper blocks of RAMs can be created using EBR sysMEM Blocks. Typically, the Lattice design tools
cascade memory transparently, based on specific design inputs.
Single, Dual, Pseudo-Dual Port and FIFO Modes
Figure 2-12 shows the five basic memory configurations and their input/output names. In all the sysMEM RAM
modes, the input data and address for the ports are registered at the input of the memory array. The output data of
the memory is optionally registered at the memory array output.
Figure 2-12. sysMEM Memory Primitives
EBR
AD[12:0]
DI[35:0]
CLK
CE
RST
WE
CS[2:0]
DO[35:0]
Single Port RAM
EBR
True Dual Port RAM
Pseudo-Dual Port RAM
ROM
AD[12:0]
CLK
CE
DO[35:0]
RST
CS[2:0]
EBR
ADA[12:0]
DIA[17:0]
CLKA
CEA
RSTA
WEA
CSA[2:0]
DOA[17:0]
ADB[12:0]
DIB[17:0]
CLKB
CEB
RSTB
WEB
CSB[2:0]
DOB[17:0]
ADW[12:0]
DI[35:0]
CLKW
CEW
ADR[12:0]
DO[35:0]
CER
CLKR
WE
RST
CS[2:0]
FIFO
EBR
DI[35:0]
CLKW
RSTA
DO[35:0]
CLKR
RSTB
RE
RCE
FF
AF
EF
AE
WE
CEW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LCMXO640E-4FT256C | |
| LCMXO1200C-4B256I | |
| LCMXO1200E-4M132C | |
| LCMXO1200E-4FT256C | |
| LCMXO1200E-3T144I | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LCMXO2280C-3FTN256C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTS 211 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FTN256I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 211 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FTN324C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTS 271 I/O RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3FTN324I | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 271 IO 1.8 /2.5/3.3V -3 Spd I RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| LCMXO2280C-3M132C | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 2280 LUTs 101 I/O 1.8/2.5/3.3V -3 Spd RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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