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参数资料
| 型号： | LCMXO2280C-B-EVN |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 31/88页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD BREAKOUT MACHXO |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | MachXO |
| 主要目的： | * |
| 嵌入式： | * |
| 已用 IC / 零件： | * |
| 主要属性： | * |
| 次要属性： | * |
| 已供物品： | * |
| 其它名称： | 220-1149 |
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DC and Switching Characteristics
MachXO Family Data Sheet
sysIO Recommended Operating Conditions
V CCIO (V)
LVPECL
Standard
LVCMOS 3.3
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
LVCMOS 1.5
LVCMOS 1.2
LVTTL
PCI 3
LVDS 1, 2
1
BLVDS 1
RSDS 1
Min.
3.135
2.375
1.71
1.425
1.14
3.135
3.135
2.375
3.135
2.375
2.375
Typ.
3.3
2.5
1.8
1.5
1.2
3.3
3.3
2.5
3.3
2.5
2.5
Max.
3.465
2.625
1.89
1.575
1.26
3.465
3.465
2.625
3.465
2.625
2.625
1. Inputs on chip. Outputs are implemented with the addition of external resistors.
2. MachXO1200 and MachXO2280 devices have dedicated LVDS buffers
3. Input on the top bank of the MachXO1200 and MachXO2280 only.
sysIO Single-Ended DC Electrical Characteristics
Input/Output
Standard
LVCMOS 3.3
Min. (V)
-0.3
V IL
Max. (V)
0.8
V IH
Min. (V)
2.0
Max. (V)
3.6
V OL Max.
(V)
0.4
0.2
V OH Min.
(V)
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
I OL 1
(mA)
16, 12, 8, 4
0.1
I OH 1
(mA)
-14, -12, -8, -4
-0.1
0.4
2.4
16
-16
LVTTL
-0.3
0.8
2.0
3.6
0.4
V CCIO - 0.4
12, 8, 4
-12, -8, -4
0.2
V CCIO - 0.2
0.1
-0.1
LVCMOS 2.5
LVCMOS 1.8
LVCMOS 1.5
LVCMOS 1.2
(“C” Version)
LVCMOS 1.2
(“E” Version)
PCI
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
0.7
0.35V CCIO
0.35V CCIO
0.42
0.35V CC
0.3V CCIO
1.7
0.65V CCIO
0.65V CCIO
0.78
0.65V CC
0.5V CCIO
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
3.6
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.4
0.2
0.1V CCIO
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
V CCIO - 0.4
V CCIO - 0.2
0.9V CCIO
16, 12, 8, 4
0.1
16, 12, 8, 4
0.1
8, 4
0.1
6, 2
0.1
6, 2
0.1
1.5
-14, -12, -8, -4
-0.1
-14, -12, -8, -4
-0.1
-8, -4
-0.1
-6, -2
-0.1
-6, -2
-0.1
-0.5
1. The average DC current drawn by I/Os between GND connections, or between the last GND in an I/O Bank and the end of an I/O Bank, as
shown in the logic signal connections table shall not exceed n * 8mA. Where n is the number of I/Os between Bank GND connections or
between the last GND in a Bank and the end of a Bank.
3-5
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