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参数资料
| 型号： | LFEC3E-4TN100I |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 96/163页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 3.1KLUTS 100TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EC |
| 逻辑元件/单元数： | 3100 |
| RAM 位总计： | 56320 |
| 输入/输出数： | 67 |
| 电源电压： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
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3-2
DC and Switching Characteristics
LatticeECP/EC Family Data Sheet
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
IIL, IIH
1
Input or I/O Leakage
0 VIN (VCCIO - 0.2V)
—
10
A
IIH
1, 3
Input or I/O High Leakage
(VCCIO - 0.2V) VIH 3.6V
—
40
A
IPU
I/O Active Pull-up Current
0 VIN 0.7 VCCIO
-30
—
-150
A
IPD
I/O Active Pull-down Current
VIL (MAX) VIN VIH (MAX)
30
—
150
A
IBHLS
Bus Hold Low sustaining current
VIN = VIL (MAX)
30
—
A
IBHHS
Bus Hold High sustaining current
VIN = 0.7VCCIO
-30
—
A
IBHLO
Bus Hold Low Overdrive current
0 VIN VIH (MAX)
—
150
A
IBHLH
Bus Hold High Overdrive current
0 VIN VIH (MAX)
—
-150
A
VBHT
Bus Hold trip Points
0 VIN VIH (MAX)
VIL (MAX)
—
VIH (MIN)
V
C1
I/O Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = 1.2V, VIO = 0 to VIH (MAX)
—8
—
pf
C2
Dedicated Input Capacitance
2
VCCIO = 3.3V, 2.5V, 1.8V, 1.5V, 1.2V,
VCC = 1.2V, VIO = 0 to VIH (MAX)
—6
—
pf
1. Input or I/O leakage current is measured with the pin configured as an input or as an I/O with the output driver tri-stated. It is not measured
with the output driver active. Bus maintenance circuits are disabled.
2. TA 25
oC, f = 1.0MHz
3. For top and bottom general purpose I/O pins, when VIH is higher than VCCIO, a transient current typically of 30ns in duration or less with a
peak current of 6mA can occur on the high-to-low transition. For left and right I/O banks, VIH must be less than or equal to VCCIO.
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PDF描述 |
|---|---|
| HSM43DSEF | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| HMM43DSEF | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| HSM43DRTF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| HMM43DRTF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| AMM22DRST | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LFEC3E-4TN144C | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 3.1K LUTs Pb-Free RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC3E-4TN144I | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 3.1K LUTs 97 IO 1.2V -4 Spd I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC3E-5F256C | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 3.1K LUTs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC3E-5F256CES | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 3.1 LUT 160 I/O RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| LFEC3E-5F256I | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:LatticeECP/EC Family Data Sheet |
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