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参数资料
| 型号： | LH28F320SKTD-ZR |
| 厂商： | Sharp Microelectronics |
| 文件页数： | 19/70页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 32MBIT 70NS 48TSOP |
| 产品变化通告： | Symmetrical Flash Discontinuation 01/Dec/2005 |
| 标准包装： | 50 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | FLASH |
| 存储容量： | 32M（4M x 8，2M x 16） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V，4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-TSOP |
| 供应商设备封装： | 48-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 425-2463 LHF32KZR |
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LHF32KZR
16
4.5.2 CFI Query Identification String
The Identification String provides verification that the component supports the Common Flash Interface
specification. Additionally, it indicates which version of the spec and which Vendor-specified command set(s) is(are)
supported.
Table 8. CFI Query Identification String
Offset
(Word Address)
10H,11H,12H
13H,14H
15H,16H
17H,18H
19H,1AH
Length
03H
02H
02H
02H
02H
Description
Query Unique ASCII string "QRY"
51H,52H,59H
Primary Vendor Command Set and Control Interface ID Code
01H,00H (SCS ID Code)
Address for Primary Algorithm Extended Query Table
31H,00H (SCS Extended Query Table Offset)
Alternate Vendor Command Set and Control Interface ID Code
0000H (0000H means that no alternate exists)
Address for Alternate Algorithm Extended Query Table
0000H (0000H means that no alternate exists)
4.5.3 System Interface Information
The following device information can be useful in optimizing system interface software.
Table 9. System Information String
Offset
(Word Address)
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
Length
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
01H
Description
V CC Logic Supply Minimum Write/Erase voltage
27H (2.7V)
V CC Logic Supply Maximum Write/Erase voltage
55H (5.5V)
V PP Programming Supply Minimum Write/Erase voltage
27H (2.7V)
V PP Programming Supply Maximum Write/Erase voltage
55H (5.5V)
Typical Timeout per Single Byte/Word Write
03H (2 3 =8μs)
Typical Timeout for Maximum Size Buffer Write (32 Bytes)
06H (2 6 =64μs)
Typical Timeout per Individual Block Erase
0AH (0AH=10, 2 10 =1024ms)
Typical Timeout for Bank Erase
0FH (0FH=15, 2 15 =32768ms)
Maximum Timeout per Single Byte/Word Write, 2 N times of typical.
04H (2 4 =16, 8μsx16=128μs)
Maximum Timeout Maximum Size Buffer Write, 2 N times of typical.
04H (24=16, 64μsx16=1024μs)
Maximum Timeout per Individual Block Erase, 2 N times of typical.
04H (2 4 =16, 1024msx16=16384ms)
Maximum Timeout for Bank Erase, 2 N times of typical.
04H (2 4 =16, 32768msx16=524288ms)
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参数描述 |
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| LH28F400BGB-TL12 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
| LH28F400BGB-TL85 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 Flash EEPROM |
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