型号: | LM258DR2G |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 1/14页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC |
标准包装: | 1 |
放大器类型: | 通用 |
电路数: | 2 |
转换速率: | 0.6 V/µs |
增益带宽积: | 1MHz |
电流 - 输入偏压: | 45nA |
电压 - 输入偏移: | 2000µV |
电流 - 电源: | 1.5mA |
电流 - 输出 / 通道: | 40mA |
电压 - 电源,单路/双路(±): | 3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V |
工作温度: | -25°C ~ 85°C |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | LM258DR2GOSDKR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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PEC14DFBN | CONN HEADER .100 DUAL STR 28POS |
929850-01-31-10 | CONN RECEPT .100 SNGL STR 31POS |
1-292173-8 | CONN HEADER 8POS SMD R/A TIN NAT |
1445093-4 | CONN HEADER 3MM 4POS GOLD T/H |
1445050-4 | CONN HEADER 3MM 4POS TIN T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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LM258DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8 |
LM258DRE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Operational Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
LM258DRG3 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
LM258DRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Operational Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
LM258DT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |