参数资料
| 型号： | LM258DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 0.6 V/µs |
| 增益带宽积： | 1MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 45nA |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 1.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | LM258DR2GOSDKR |
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
3
MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C, unless otherwise noted.)
Rating
Symbol
Value
Unit
Power Supply Voltages
Single Supply
Split Supplies
VCC
VCC, VEE
32
±16
Vdc
Input Differential Voltage Range (Note 1)
VIDR
±32
Vdc
Input Common Mode Voltage Range (Note 2)
VICR
0.3 to 32
Vdc
Output Short Circuit Duration
tSC
Continuous
Junction Temperature
TJ
150
°C
Thermal Resistance, JunctiontoAir (Note 3)
Case 846A
Case 751
Case 626
RqJA
238
212
161
°C/W
Storage Temperature Range
Tstg
65 to +150
°C
ESD Protection at any Pin
Human Body Model
Machine Model
Vesd
2000
200
V
Operating Ambient Temperature Range
LM258
LM358, LM358A
LM2904/LM2904A
LM2904V, NCV2904 (Note 4)
NCV2904V (Note 4)
TA
25 to +85
0 to +70
40 to +105
40 to +125
40 to +150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Split Power Supplies.
2. For supply voltages less than 32 V the absolute maximum input voltage is equal to the supply voltage.
3. All RqJA measurements made on evaluation board with 1 oz. copper traces of minimum pad size. All device outputs were active.
4. NCV2904 and NCV2904V are qualified for automotive use.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PEC14DFBN | CONN HEADER .100 DUAL STR 28POS |
| 929850-01-31-10 | CONN RECEPT .100 SNGL STR 31POS |
| 1-292173-8 | CONN HEADER 8POS SMD R/A TIN NAT |
| 1445093-4 | CONN HEADER 3MM 4POS GOLD T/H |
| 1445050-4 | CONN HEADER 3MM 4POS TIN T/H |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| LM258DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:LM Series 0.6 V/us 32 V SMT Single Supply Quad Operational Amplifier - SOIC-8 |
| LM258DRE4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Operational Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LM258DRG3 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LM258DRG4 | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Operational Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
| LM258DT | 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Low Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流（最大值）:10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel |
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