参数资料
型号: LM258DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/14页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP DUAL LOW POWER 8SOIC
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 2
转换速率: 0.6 V/µs
增益带宽积: 1MHz
电流 - 输入偏压: 45nA
电压 - 输入偏移: 2000µV
电流 - 电源: 1.5mA
电流 - 输出 / 通道: 40mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V
工作温度: -25°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1129 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: LM258DR2GOSDKR
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
12
PACKAGE DIMENSIONS
PDIP8
N, AN, VN SUFFIX
CASE 62605
ISSUE M
14
5
8
F
NOTE 5
D
e
b
L
A1
A
E3
E
A
TOP VIEW
C SEATING
PLANE
0.010
CA
SIDE VIEW
END VIEW
NOTE 3
DIM
MIN
NOM
MAX
INCHES
A
0.210
A1 0.015
b
0.014
0.018
0.022
C
0.008
0.010
0.014
D
0.355
0.365
0.400
D1 0.005
e
0.100 BSC
E
0.300
0.310
0.325
L
0.115
0.130
0.150
5.33
0.38
0.35
0.46
0.56
0.20
0.25
0.36
9.02
9.27
10.02
0.13
2.54 BSC
7.62
7.87
8.26
2.92
3.30
3.81
MIN
NOM
MAX
MILLIMETERS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCHES.
3. DIMENSION E IS MEASURED WITH THE LEADS RE-
STRAINED PARALLEL AT WIDTH E2.
4. DIMENSION E1 DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
E1
0.240
0.250
0.280
6.10
6.35
7.11
E2
E3
0.430
10.92
0.300 BSC
7.62 BSC
E1
D1
M
8X
e/2
E2
c
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PDF描述
PEC14DFBN CONN HEADER .100 DUAL STR 28POS
929850-01-31-10 CONN RECEPT .100 SNGL STR 31POS
1-292173-8 CONN HEADER 8POS SMD R/A TIN NAT
1445093-4 CONN HEADER 3MM 4POS GOLD T/H
1445050-4 CONN HEADER 3MM 4POS TIN T/H
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参数描述
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LM258DRG3 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
LM258DRG4 功能描述:运算放大器 - 运放 Dual Operational Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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