参数资料
| 型号： | LT1169CS8 |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET LONOISE DUAL 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 4.2 V/µs |
| 增益带宽积： | 5.3MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 600µV |
| 电流 - 电源： | 5.3mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.5 V ~ 20 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
2
LT1169
ORDER PART
NUMBER
A
U
G
W
A
W
U
W
A
R
BSOLUTEXI
TI
S
Supply Voltage
– 55
°C to 105°C ............................................... ±20V
105
°C to 125°C ............................................... ±16V
Differential Input Voltage ......................................
±40V
Input Voltage (Equal to Supply Voltage) ...............
±20V
Output Short-Circuit Duration......................... Indefinite
Operating Temperature Range ............... – 40
°C to 85°C
Storage Temperature Range ................ – 65
°C to 150°C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec) ................ 300
°C
WU
U
PACKAGE/ORDER I FOR ATIO
S8 PART MARKING
LT1169CN8
LT1169CS8
TJMAX = 150°C, θJA = 80°C/W (N8)
TJMAX = 160°C, θJA = 190°C/W (S8)
Consult factory for Industrial and Military grade parts.
VS = ±15V, VCM = 0V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
ELECTRICAL C
C
HARA TERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS (Note 1)
MIN
TYP
MAX
UNITS
VOS
Input Offset Voltage
0.60
2.0
mV
VS = ±5V
0.65
2.2
mV
IOS
Input Offset Current
Warmed Up (Note 2)
2.5
15
pA
TJ = 25°C (Note 5)
0.7
4
pA
IB
Input Bias Current
Warmed Up (Note 2)
4.0
20
pA
TJ = 25°C (Note 5)
1.5
5
pA
en
Input Noise Voltage
0.1Hz to 10Hz
2.4
VP-P
Input Noise Voltage Density
fO = 10Hz
17
nV/
√Hz
fO = 1000Hz
6
8
nV/
√Hz
in
Input Noise Current Density
fO = 10Hz, fO = 1kHz (Note 3)
1
fA/
√Hz
RIN
Input Resistance
Differential Mode
10
14
Common Mode
VCM = –10V to 13V
10
13
CIN
Input Capacitance
1.5
pF
VS = ±5V
2.0
pF
VCM
Input Voltage Range (Note 4)
13.0
13.5
V
–10.5
–11.0
V
CMRR
Common Mode Rejection Ratio
VCM = –10V to 13V
82
95
dB
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
VS = ±4.5V to ± 20V
83
98
dB
AVOL
Large-Signal Voltage Gain
VO = ±12V, RL = 10k
1000
4500
V/mV
VO = ±10V, RL = 1k
500
3000
V/mV
VOUT
Output Voltage Swing
RL = 10k
±13.0
±13.8
V
RL = 1k
±12.0
±13.0
V
SR
Slew Rate
RL ≥ 2k (Note 6)
2.4
4.2
V/
s
GBW
Gain-Bandwidth Product
fO = 100kHz
3.3
5.3
MHz
Channel Separation
fO = 10Hz, VO = ±10V, RL = 1k
126
dB
IS
Supply Current per Amplifier
5.3
6.50
mA
VS = ±5V
5.3
6.45
mA
VOS
Offset Voltage Match
0.8
3.5
mV
IB+
Noninverting Bias Current Match
Warmed Up (Note 2)
3
20
pA
CMRR
Common Mode Rejection Match
(Note 8)
78
94
dB
PSRR
Power Supply Rejection Match
(Note 8)
80
95
dB
1169
1
2
3
4
8
7
6
5
TOP VIEW
N8 PACKAGE
8-LEAD PDIP
B
A
OUT A
–IN A
+IN A
V–
V+
OUT B
–IN B
+IN B
S8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC SO
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| LT1169CS8#TRPBF | 功能描述:IC OPAMP JFET LONOISE DUAL 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:1 输出类型:满摆幅 转换速率:0.11 V/µs 增益带宽积:350kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:4nA 电压 - 输入偏移:20µV 电流 - 电源:260µA 电流 - 输出 / 通道:20mA 电压 - 电源，单路/双路(±):2.7 V ~ 36 V，±1.35 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SO 包装:带卷 (TR) |
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