参数资料
型号: LT1169CS8
厂商: Linear Technology
文件页数: 8/12页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP JFET LONOISE DUAL 8SOIC
标准包装: 100
放大器类型: J-FET
电路数: 2
转换速率: 4.2 V/µs
增益带宽积: 5.3MHz
电流 - 输入偏压: 4pA
电压 - 输入偏移: 600µV
电流 - 电源: 5.3mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±4.5 V ~ 20 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 管件
5
LT1169
CC
HARA TERISTICS
UW
A
TYPICALPERFOR
CE
Input Bias and Offset Currents
Over the Common Mode Range
Input Bias and Offset Currents
vs Chip Temperature
TEMPERATURE (°C)
–75
VOLTAGE
NOISE
(AT
1kHz)
(nV/
Hz)
6
7
8
LT1169 TPC04
5
4
2
0
50
100
3
10
9
–50 –25
25
75
125
VS = ±15V
Voltage Noise vs Chip Temperature
TEMPERATURE (°C)
0
INPUT
BIAS
AND
OFFSET
CURRENTS
(A)
300p
100p
3n
1n
30n
10n
100
LT1169 TPC05*
30p
10p
3p
1p
0.3p
25
50
75
125
VS = ±15V
VCM = –10 TO 13V
BIAS
CURRENT
OFFSET
CURRENT
FREQUENCY (Hz)
10
0
POWER
SUPPLY
REJECTION
RATIO
(dB)
20
40
60
80
120
100
1k
10k
100k
LT1169 TPC09
1M
10M
100
TA = 25°C
+PSRR
–PSRR
Voltage Gain vs Frequency
FREQUENCY (Hz)
0.01
VOLTAGE
GAIN
(dB)
100
140
180
1M
LT1169 TPC10
60
20
–20
1
100
10k
100M
TA = 25°C
VS = ±15V
CHIP TEMPERATURE (°C)
–75
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–25
50
75
LT1169 TPC11
–50
25
100 125
0
VS = ±15V
VO = ±10V, RL = 1k
VO = ±12V, RL = 10k
VOLTAGE
GAIN
(V/
V)
RL =10k
RL = 1k
Voltage Gain vs Chip Temperature
FREQUENCY (MHz)
0.1
–10
VOLTAGE
GAIN
(dB)
PHASE
SHIFT
(DEG)
30
40
50
1
10
100
LT1169 TPC12
20
10
0
180
100
80
60
120
140
160
TA = 25°C
VS = ±15V
CL = 10pF
PHASE
GAIN
Gain and Phase Shift
vs Frequency
Common Mode Rejection Ratio
vs Frequency
Power Supply Rejection Ratio
vs Frequency
TEMPERATURE (
°C)
–60
COMMON
MODE
LIMIT
(V)
REFERRED
TO
POWER
SUPPLY
V+
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
100
LT1169 TPC07
3.0
2.0
1.5
2.5
V+1.0
–20
20
60
140
V+ = 5V TO 20V
V = – 5V TO – 20V
FREQUENCY (Hz)
COMMON
MODE
REJECTION
RATIO
(dB)
120
100
80
60
40
20
0
1k
100k
1M
10M
LT1169 TPC08
10k
TA = 25°C
VS = ±15V
Common Mode Limit
vs Temperature
COMMON MODE RANGE (V)
–15
–10
INPUT
BIAS
AND
OFFSET
CURRENTS
(pA)
–6
–4
–2
0
2
4
–10
–5
05
LT1169 TPC06
10
6
8
10
–8
15
TA = 25°C
VS = ±15V
BIAS CURRENT
OFFSET CURRENT
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PDF描述
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参数描述
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LT1169CS8#TR 功能描述:IC OPAMP JFET DUAL LONOISE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:73 系列:Over-The-Top® 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:满摆幅 转换速率:0.07 V/µs 增益带宽积:200kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:1nA 电压 - 输入偏移:285µV 电流 - 电源:50µA 电流 - 输出 / 通道:25mA 电压 - 电源,单路/双路(±):2 V ~ 44 V,±1 V ~ 22 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-WFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:16-DFN-EP(5x3) 包装:管件
LT1169CS8#TRPBF 功能描述:IC OPAMP JFET LONOISE DUAL 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:1 输出类型:满摆幅 转换速率:0.11 V/µs 增益带宽积:350kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:4nA 电压 - 输入偏移:20µV 电流 - 电源:260µA 电流 - 输出 / 通道:20mA 电压 - 电源,单路/双路(±):2.7 V ~ 36 V,±1.35 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SO 包装:带卷 (TR)
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