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参数资料
| 型号： | LT8582EDKD#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 17/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG MULTI CONFIG ADJ 3A 24DFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 升压（升压），反相，回扫，Sepic |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 最高 42V |
| 输入电压： | 2.5 V ~ 22 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 200kHz ~ 2.5MHz |
| 电流 - 输出： | 3A |
| 同步整流器： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-WFDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 24-DFN（7x4） |
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LT8582
APPLICATIONS INFORMATION
THERMAL CONSIDERATIONS
Overview
For the LT8582 to deliver its full output power, it is imperative
that a good thermal path be provided to dissipate the heat
generated within the package. This can be accomplished
by taking advantage of the thermal pad on the underside
of the chip. It is recommended that multiple vias in the
printed circuit board be used to conduct heat away from the
chip and into copper planes with as much area as possible.
L2
D2
C1
C PWR2
Power and Thermal Calculations
Power dissipation in the LT8582 chip comes from four
primary sources: switch I 2 R loss, NPN base drive loss
(AC + DC) and chip bias current. The following formulas
assume continuous mode operation, so they should not
be used for calculating thermal losses or efficiency in
discontinuous mode or at light load currents.
L3
C OUT3
V OUT2
+
13
12
C VIN2
V IN
CLKOUT2
14
15
16
17
11
10
9
8
–
SYNC1
18
19
20
21
22
23
24
25
7
6
5
4
3
2
1
C VIN1
C OUT2
GND
V OUT1
L1
C PWR1
C OUT1
D1
M1
R GATE
8582 F08
Figure 8. Suggested Component Placement for Boost and Dual Inductor Inverting Topologies.
Note the Separate Ground Return for the R T , SS, and V C Components as Well as D2’s Cathode
8582f
17
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