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参数资料
| 型号： | LTC3830-1ES8#TRPBF |
| 厂商： | Linear Technology |
| 文件页数： | 14/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 250kHz |
| 占空比： | 95% |
| 电源电压： | 3 V ~ 8 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
LTC3830/LTC3830-1
APPLICATIO S I FOR ATIO
( 3 . 3 V )( 10 A ) 2
( 5 V – 3 . 3 V )( 10 A ) 2
DC MAX ? ( V IN – V OUT ) 1 . 615 A
P MAX should be calculated based primarily on required
efficiency or allowable thermal dissipation. A typical high
efficiency circuit designed for 5V input and 3.3V at 10A
output might allow no more than 3% efficiency loss at full
load for each MOSFET. Assuming roughly 90% efficiency
at this current level, this gives a P MAX value of:
(3.3V)(10A/0.9)(0.03) = 1.1W per FET
and a required R DS(ON) of:
( 5 V ) ? ( 1 . 1 W )
R DS ( ON ) Q 1 = = 0 . 017 ?
( 5 V ) ? ( 1 . 1 W )
R DS ( ON ) Q 2 = = 0 . 032 ?
Note that the required R DS(ON) for Q2 is roughly twice that
of Q1 in this example. This application might specify a
single 0.03 ? device for Q2 and parallel two more of the
same devices to form Q1. Note also that while the required
R DS(ON) values suggest large MOSFETs, the power dissi-
pation numbers are only 1.1W per device or less; large
TO-220 packages and heat sinks are not necessarily
required in high efficiency applications. Siliconix Si4410DY
or International Rectifier IRF7413 (both in SO-8) or Siliconix
SUD50N03-10 (TO-252) or ON Semiconductor
MTD20N03HDL (DPAK) are small footprint surface mount
devices with R DS(ON) values below 0.03 ? at 5V of V GS that
work well in LTC3830 circuits. Using a higher P MAX value
in the R DS(ON) calculations generally decreases the MOSFET
cost and the circuit efficiency and increases the MOSFET
heat sink requirements.
Table 1 highlights a variety of power MOSFETs for use in
LTC3830 applications.
Inductor Selection
The inductor is often the largest component in an LTC3830
design and must be chosen carefully. Choose the inductor
value and type based on output slew rate requirements. The
maximum rate of rise of inductor current is set by the
inductor’s value, the input-to-output voltage differential and
the LTC3830’s maximum duty cycle. In a typical 5V input,
3.3V output application, the maximum rise time will be:
=
L O L O μ s
Table 1. Recommended MOSFETs for LTC3830 Applications
TYPICAL INPUT
R DS(ON)
CAPACITANCE
PARTS
Siliconix SUD50N03-10
AT 25 ° C (m ? )
19
RATED CURRENT (A)
15 at 25 ° C
C ISS (pF)
3200
θ JC ( ° C/W)
1.8
T JMAX ( ° C)
175
TO-252
10 at 100 ° C
Siliconix Si4410DY
20
10 at 25 ° C
2700
150
SO-8
8 at 70 ° C
ON Semiconductor MTD20N03HDL
35
20 at 25 ° C
880
1.67
150
DPAK
16 at 100 ° C
Fairchild FDS6670A
8
13 at 25 ° C
3200
25
150
S0-8
Fairchild FDS6680
10
11.5 at 25 ° C
2070
25
150
SO-8
ON Semiconductor MTB75N03HDL
9
75 at 25 ° C
4025
1
150
DD PAK
59 at 100 ° C
IR IRL3103S
19
64 at 25 ° C
1600
1.4
175
DD PAK
45 at 100 ° C
IR IRLZ44
28
50 at 25 ° C
3300
1
175
TO-220
36 at 100 ° C
Fuji 2SK1388
37
35 at 25 ° C
1750
2.08
150
TO-220
Note: Please refer to the manufacturer’s data sheet for testing conditions and detailed information.
3830fa
14
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