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参数资料
| 型号： | M28W160CB100N6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 23/50页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | M28W160CB100N6T |
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M28W160CT, M28W160CB
Figure 9. Read Mode AC Waveforms
Table 16. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
M28W160C
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
AXQX
(1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQX
(1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQX
(1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
20
20
30
35
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
DQ0-DQ15
AI03813b
VALID
A0-A19
E
tAXQX
tAVAV
VALID
tAVQV
tELQV
tELQX
tGLQV
tGLQX
ADDR. VALID
CHIP ENABLE
OUTPUTS
ENABLED
DATA VALID
STANDBY
G
tGHQX
tGHQZ
tEHQX
tEHQZ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| M28W160CB85ZB6S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85ZB6U | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M28W160CB100ZB1S | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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