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参数资料
| 型号： | M28W160CB100N6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 37/50页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | M28W160CB100N6T |
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37/50
M28W160CT, M28W160CB
Table 29. Device Geometry Definition
Offset Word
Mode
Data
Description
Value
27h
0015h
Device Size = 2
n
in number of bytes
2 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0002h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
4
2Ch
0002h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing contiguous
Erase Blocks of the same size.
2
M
2Dh
2Eh
001Eh
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
31h
32h
0007h
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
33h
34h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 KByte
M
2Dh
2Eh
0007h
0000h
Region 1 Information
Number of identical-size erase block = 0007h+1
8
2Fh
30h
0020h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0020h * 256 byte
8 KByte
31h
32h
001Eh
0000h
Region 2 Information
Number of identical-size erase block = 001Eh+1
31
33h
34h
0000h
0001h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160CB85ZB6E | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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| M28W160CB85ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160CB85ZB6U | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M28W160CB100N6U | 制造商:NUMONYX 制造商全称:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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