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参数资料
| 型号： | M28W320FSB |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 32Mbit (2Mb x16) and 64Mbit (4Mb x16) 3V Supply, Boot Block, Secure Flash Memories |
| 中文描述： | 32兆（含2Mb × 16）和64Mbit（4Mb的x16）的3V电源，启动块，安全闪存 |
| 文件页数： | 7/45页 |
| 文件大小： | 299K |
| 代理商： | M28W320FSB |
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M28W320EBT, M28W320EBB
Table 6. Memory Blocks Protection Truth Table
Note: 1. X = Don’t Care
2. VPP must also be greater than the Program Voltage Lock Out VPPLK.
Table 7. Program, Erase Times and Program/Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical time to program a Main or Parameter Block using the Double Word Program and the Quadruple Word Program commands
respectively.
VPP
(1)
RP
WP (1)
Lockable Blocks
(blocks #0 and #1)
Other Blocks
X
VIL
X
Protected
VIL
VIH
X
Protected
VDD or VPPH
(2)
VIH
VIL
Protected
Unprotected
VDD or VPPH
(2)
VIH
Unprotected
Parameter
Test Conditions
M28W320EB
Unit
Min
Typ
Max
Word Program
VPP = VDD
10
200
s
Double Word Program
VPP = 12V ±5%
10
200
s
Quadruple Word Program
VPP = 12V ±5%
10
200
s
Main Block Program
VPP = 12V ±5%
0.16/0.08 (1)
5s
VPP = VDD
0.32
5
s
Parameter Block Program
VPP = 12V ±5%
0.02/0.01 (1)
4s
VPP = VDD
0.04
4
s
Main Block Erase
VPP = 12V ±5%
110
s
VPP = VDD
110
s
Parameter Block Erase
VPP = 12V ±5%
0.4
10
s
VPP = VDD
0.4
10
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
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