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参数资料
| 型号： | M29F400BB90MT3E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| 封装： | 0.500 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件页数： | 24/40页 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | M29F400BB90MT3E |
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DC and AC parameters
M29F400BT, M29F400BB
Table 11.
DC characteristics(1)
1.
TA = 0 to 70°C, –40 to 85°C or –40 to 125°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ(2)
2.
TA = 25 °C, VCC = 5V.
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤V
IN ≤VCC
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤V
OUT ≤VCC
±1
A
ICC1
Supply Current (Read)
E = VIL, G = VIH, f =
6MHz
720
mA
ICC2
Supply Current (Standby)
TTL
E = VIH
1mA
ICC3
Supply Current (Standby)
CMOS
E = VCC ±0.2V,
RP = VCC ±0.2V
30
100
A
ICC4
(3)
3.
Sampled only, not 100% tested.
Supply Current
(Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
2
VCC +0.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 5.8mA
0.45
V
VOH
Output High Voltage TTL
IOH = –2.5mA
2.4
V
Output High Voltage
CMOS
IOH = –100AVCC –0.4
V
VID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
IID
Identification Current
A9 = VID
100
A
VLKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
3.2
4.2
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F400BT70MT6T | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29F800DB70N3F | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29F800DB90N6T | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29F400BB90N1 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F400BB90N1T | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F400BB90N6 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F400BB90N6T | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F400BT45N1 | 功能描述:闪存 512Kx8 or 256Kx16 45 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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