参数资料
型号: M29F800DB90N6T
厂商: NUMONYX
元件分类: PROM
英文描述: 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48
封装: 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件页数: 29/39页
文件大小: 622K
代理商: M29F800DB90N6T
35/39
Figure 18. Programmer Equipment Chip Unprotect Flowchart
PROTECT ALL BLOCKS
AI03470
A6, A12, A15 = VIH(1)
E, G, A9 = VID
DATA
W = VIH
E, G = VIH
ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1, A6 = VIH
Wait 10ms
=
00h
INCREMENT
CURRENT BLOCK
n = 0
CURRENT BLOCK = 0
Wait 4s
W = VIL
++n
= 1000
START
YES
NO
LAST
BLOCK
YES
NO
E = VIL
Wait 4s
G = VIL
Wait 60ns
Read DATA
FAIL
PASS
Verify
Unprotect
Set-up
End
A9 = VIH
E, G = VIH
A9 = VIH
E, G = VIH
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PDF描述
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M2Y51264TU88A2G-37B 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
M30-1201100 22 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP
相关代理商/技术参数
参数描述
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M29F800DT55N1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F800DT55N6 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F800DT55N6E 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29F800DT70M1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel