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参数资料
| 型号： | M29F800DB90N6T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 32/39页 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | M29F800DB90N6T |
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REVISION HISTORY
Table 28. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
13-Dec-2001
-01
First Issue
21-Jan-2002
-02
VIH(max) value corrected
01-Mar-2002
-03
Description of Ready/Busy signal clarified (and Figure 14 modified)
Clarified allowable commands during block erase
Clarified the mode the device returns to in the CFI Read Query command section
17-Feb-2003
4.0
Revision numbering modified: a minor revision will be indicated by incrementing the digit
after the dot, and a major revision, by incrementing the digit before the dot (revision
version 03 equals 3.0).
Erase Suspend Latency Time (typical) and Data Retention parameters added to Table 6,
Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles, and notes added to the
table. Logic Diagram and Data Toggle Flowchart corrected.
Lead-free package options E and F added to Table 18, Ordering Information Scheme.
Document promoted to full datasheet.
08-Jul-2003
4.1
updated on page 29, COMMON FLASH INTERFACE (CFI) Appendix. Temperature range
3 added.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
| M30-1201100 | 22 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29F800DT55M1 | 功能描述:闪存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT70M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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