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参数资料
| 型号： | M29F800DB90N6T |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 33/39页 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | M29F800DB90N6T |
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160BT90ZA6 | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 90 ns, PBGA48 |
| M29W400BT70M6T | 256K X 16 FLASH 2.7V PROM, 70 ns, PDSO44 |
| M29W640GB70ZA6F | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| M2Y51264TU88A2G-37B | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240 |
| M30-1201100 | 22 CONTACT(S), FEMALE, TWO PART BOARD CONNECTOR, CRIMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29F800DT55M1 | 功能描述:闪存 SO-44 1MX8/512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT55N6E | 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29F800DT70M1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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