- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377821 > M29W200BT90N6F (意法半导体) 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory PDF资料下载
参数资料
| 型号： | M29W200BT90N6F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 16/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT90N6F |
M29W200BT, M29W200BB
16/22
Table 16. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W200B
Unit
55
70
90 / 120
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
55
70
90
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
40
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
25
30
45
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
40
45
45
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
35
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
50
μs
Figure 10. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
AI01992
E
G
W
A0-A16/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W400T | 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位闪速存储器) |
| M29W800AB | 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb闪速存储器) |
| M29W800B | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器) |
| M29W800DB90ZE1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45N1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W256G7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M29W256GH70N3E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP |
| M29W256GH70N6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| M29W256GH70N6F | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| M29W256GH70ZA6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。