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参数资料
| 型号： | M29W200BT90N6F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引导块）低电压单电源闪存 |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | M29W200BT90N6F |
17/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 17. Reset/Block Temporary Unprotect AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C or –40 to 85°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W200B
Unit
55
70
90 / 120
t
PHWL (1)
t
PHEL
t
PHGL
(1)
t
RH
RP High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
50
50
50
ns
t
RHWL (1)
t
RHEL
(1)
t
RHGL
(1)
t
RB
RB High to Write Enable Low, Chip Enable
Low, Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
PLPX
t
RP
RP Pulse Width
Min
500
500
500
ns
t
PLYH
(1)
t
READY
RP Low to Read Mode
Max
10
10
10
μ
s
t
PHPHH (1)
t
VIDR
RP Rise Time to V
ID
Min
500
500
500
ns
Figure 11. Reset/Block Temporary Unprotect AC Waveforms
AI02931
RB
W,
RP
tPLPX
tPHWL, tPHEL, tPHGL
tPLYH
tPHPHH
E, G
tRHWL, tRHEL, tRHGL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| M29W256GH70N6F | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| M29W256GH70ZA6E | 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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