参数资料
型号: M29W200BT90N6F
厂商: 意法半导体
英文描述: 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述: 2兆位(256Kb的x8或128KB的x16插槽,引导块)低电压单电源闪存
文件页数: 19/22页
文件大小: 175K
代理商: M29W200BT90N6F
19/22
M29W200BT, M29W200BB
Table 19. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.100
0.050
0.150
0.0039
0.0020
0.0059
A2
1.000
0.950
1.050
0.0394
0.0374
0.0413
B
0.220
0.170
0.270
0.0087
0.0067
0.0106
C
0.100
0.210
0.0039
0.0083
CP
0.100
0.0039
D1
12.000
11.900
12.100
0.4724
0.4685
0.4764
E
20.000
19.800
20.200
0.7874
0.7795
0.7953
E1
18.400
18.300
18.500
0.7244
0.7205
0.7283
e
0.500
0.0197
L
0.600
0.500
0.700
0.0236
0.0197
0.0276
L1
0.800
0.0315
a
3
0
5
3
0
5
Figure 12. TSOP48 - 48 lead Plastic Thin Small Outline, 12 x 20mm, Package Outline
Drawing is not to scale.
TSOP-a
D1
E
1
N
CP
B
e
A2
A
N/2
D
DIE
C
L
A1
α
相关PDF资料
PDF描述
M29W400T 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位闪速存储器)
M29W800AB 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb闪速存储器)
M29W800B 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低压闪速存储器)
M29W800DB90ZE1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45N1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相关代理商/技术参数
参数描述
M29W256G7AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
M29W256GH70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP
M29W256GH70N6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
M29W256GH70N6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
M29W256GH70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)