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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZA1F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 22/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZA1F |
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M29W800DT, M29W800DB
22/42
Table 12. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W800D
Unit
45
70
90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
45
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
45
70
90
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
45
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
30
40
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZA1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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