参数资料
型号: M29W800DB45ZA1F
厂商: 意法半导体
英文描述: 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
中文描述: 8兆(1兆x8或512KB的x16插槽,引导块)3V电源快闪记忆体
文件页数: 7/42页
文件大小: 275K
代理商: M29W800DB45ZA1F
7/42
M29W800DT, M29W800DB
Figure 5. TFBGA Connections (Top view through package)
AI00656
B
A
4
3
2
1
G
F
H
DQ15
A–1
A7
A3
DQ10
DQ8
E
DQ13
DQ11
DQ9
G
VSS
DQ6
DQ1
VSS
DQ14
A12
NC
A17
A4
A14
A10
NC
A18
A6
A2
RP
A8
DQ4
DQ3
VCC
DQ12
A9
BYTE
A15
A11
NC
A1
A16
DQ7
DQ5
DQ2
A0
NC
DQ0
A5
E
D
C
RB
W
A13
6
5
相关PDF资料
PDF描述
M29W800DB45ZA1T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45ZA6E 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45ZA6F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45ZA6T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45ZE1E 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相关代理商/技术参数
参数描述
M29W800DB45ZE6E 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB45ZE6F 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB45ZE6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA
M29W800DB70M6 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
M29W800DB70N1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel