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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZA1F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 34/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZA1F |
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M29W800DT, M29W800DB
34/42
Table 26. Device Geometry Definition
Address
Data
Description
Value
x16
x8
27h
4Eh
0014h
Device Size = 2
n
in number of bytes
1 MByte
28h
29h
50h
52h
0002h
0000h
Flash Device Interface Code description
x8, x16
Async.
2Ah
2Bh
54h
56h
0000h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
NA
2Ch
58h
0004h
Number of Erase Block Regions within the device.
It specifies the number of regions within the device containing
contiguous Erase Blocks of the same size.
4
2Dh
2Eh
5Ah
5Ch
0000h
0000h
Region 1 Information
Number of identical size erase block = 0000h+1
1
2Fh
30h
5Eh
60h
0040h
0000h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0040h * 256 byte
16 Kbyte
31h
32h
62h
64h
0001h
0000h
Region 2 Information
Number of identical size erase block = 0001h+1
2
33h
34h
66h
68h
0020h
0000h
Region 2 Information
Block size in Region 2 = 0020h * 256 byte
8 Kbyte
35h
36h
6Ah
6Ch
0000h
0000h
Region 3 Information
Number of identical size erase block = 0000h+1
1
37h
38h
6Eh
70h
0080h
0000h
Region 3 Information
Block size in Region 3 = 0080h * 256 byte
32 Kbyte
39h
3Ah
72h
74h
000Eh
0000h
Region 4 Information
Number of identical-size erase block = 000Eh+1
15
3Bh
3Ch
76h
78h
0000h
0001h
Region 4 Information
Block size in Region 4 = 0100h * 256 byte
64 Kbyte
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZA1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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