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参数资料
| 型号： | M29W800DB45ZA1F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引导块）3V电源快闪记忆体 |
| 文件页数： | 24/42页 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB45ZA1F |
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M29W800DT, M29W800DB
24/42
Figure 14. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W800D
Unit
45
70
90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
45
70
90
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
30
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
25
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
40
45
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
35
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
50
μs
AI05450
E
G
W
A0-A18/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZA1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZA6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45ZE1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
| M29W800DB70M6 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| M29W800DB70N1 | 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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