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参数资料
| 型号： | M34D64-WDW6T |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Kbit Serial I2C Bus EEPROM With Hardware Write Control on Top Quarter of Memory |
| 中文描述： | 64千位串行I2C总线的EEPROM，带有硬件写控制记忆的热门季 |
| 文件页数： | 13/21页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | M34D64-WDW6T |
13/21
M34D64
Table 11. DC Characteristics (M34D64-W)
Table 12. DC Characteristics (M34D64-R)
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in Table 7)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
(SCL, SDA)
V
IN
= V
SS
or
V
CC
device in Stand-by mode
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
or
V
CC,
SDA in Hi-Z
± 2
μA
I
CC
Supply Current
V
CC
=2.5V, f
c
=400kHz (rise/fall time < 30ns)
1
mA
I
CC1
Stand-by Supply Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 5 V
10
μA
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 2.5 V
2
μA
V
IL
Input Low Voltage
(E2, E1, E0, SCL, SDA)
–0.3
0.3V
CC
V
Input Low Voltage (WC)
–0.3
0.5
V
V
IH
Input High Voltage
(E2, E1, E0, SCL, SDA, WC)
0.7V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1 mA, V
CC
= 2.5 V
0.4
V
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in Table 8)
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
(SCL, SDA)
V
IN
= V
SS
or
V
CC
device in Stand-by mode
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
or
V
CC,
SDA in Hi-Z
± 2
μA
I
CC
Supply Current
V
CC
=1.8V, f
c
=100kHz (rise/fall time < 30ns)
0.8
mA
I
CC1
Stand-by Supply Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 1.8 V
0.2
μA
V
IL
Input Low Voltage
(E2, E1, E0, SCL, SDA)
– 0.3
0.3 V
CC
V
Input Low Voltage (WC)
–0.3
0.5
V
V
IH
Input High Voltage
(E2, E1, E0, SCL, SDA, WC)
0.7V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 0.7 mA, V
CC
= 1.8 V
0.2
V
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PDF描述 |
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| M34D64WMN6P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:64 Kbit serial IC bus EEPROM with hardware write control on top quarter of memory |
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