参数资料
型号: M38503E4SP
元件分类: 微控制器/微处理器
英文描述: 8-BIT, OTPROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42
封装: 0.600 INCH, 1.78 MM PITCH, PLASTIC, SDIP-42
文件页数: 57/286页
文件大小: 3016K
代理商: M38503E4SP
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页当前第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页第221页第222页第223页第224页第225页第226页第227页第228页第229页第230页第231页第232页第233页第234页第235页第236页第237页第238页第239页第240页第241页第242页第243页第244页第245页第246页第247页第248页第249页第250页第251页第252页第253页第254页第255页第256页第257页第258页第259页第260页第261页第262页第263页第264页第265页第266页第267页第268页第269页第270页第271页第272页第273页第274页第275页第276页第277页第278页第279页第280页第281页第282页第283页第284页第285页第286页
viii
3850 Group (Spec. H) User’s Manual
List of figures
Fig. 2.10.4 Reset input time ..................................................................................................... 2-101
Fig. 2.11.1 Memory map of flash memory version for 3850 Group ................................... 2-103
Fig. 2.11.2 Memory map of registers relevant to flash memory ......................................... 2-104
Fig. 2.11.3 Structure of Flash memory control register ........................................................ 2-104
Fig. 2.11.4 Rewrite example of built-in flash memory in serial I/O mode ......................... 2-107
Fig. 2.11.5 Connection example in serial I/O mode (1) ....................................................... 2-108
Fig. 2.11.6 Connection example in serial I/O mode (2) ....................................................... 2-108
Fig. 2.11.7 Connection example in serial I/O mode (3) ....................................................... 2-109
Fig. 2.11.8 Example of rewrite system for built-in flash memory in CPU rewrite mode . 2-110
Fig. 2.11.9 CPU rewrite mode beginning/release flowchart ................................................. 2-111
CHAPTER 3 APPENDIX
Fig. 3.1.1 Circuit for measuring output switching characteristics ............................................ 3-9
Fig. 3.1.2 Timing diagram ........................................................................................................... 3-10
Fig. 3.2.1 Flash memory version power source current standard characteristics (in high-speed
mode, f(XIN) = 8 MHz) ............................................................................................... 3-11
Fig. 3.2.2 Flash memory version power source current standard characteristics (in high-speed
mode, f(XIN) = 4 MHz) ............................................................................................... 3-11
Fig. 3.2.3 Flash memory version power source current standard characteristics (in middle-
speed mode, f(XIN) = 8 MHz) ................................................................................... 3-12
Fig. 3.2.4 Flash memory version power source current standard characteristics (in middle-
speed mode, f(XIN) = 4 MHz) ................................................................................... 3-12
Fig. 3.2.5 Flash memory version power source current standard characteristics (in low-speed
mode) ........................................................................................................................... 3-13
Fig. 3.2.6 Mask ROM version power source current standard characteristics (in high-speed
mode, f(XIN) = 8 MHz) ............................................................................................... 3-14
Fig. 3.2.7 Mask ROM version power source current standard characteristics (in high-speed
mode, f(XIN) = 4 MHz) ............................................................................................... 3-14
Fig. 3.2.8 Mask ROM version power source current standard characteristics (in middle-speed
mode, f(XIN) = 8 MHz) ............................................................................................... 3-15
Fig. 3.2.9 Mask ROM version power source current standard characteristics (in middle-speed
mode, f(XIN) = 4 MHz) ............................................................................................... 3-15
Fig. 3.2.10 Mask ROM version power source current standard characteristics (in low-speed
mode) ......................................................................................................................... 3-16
Fig. 3.2.11 PROM version power source current standard characteristics (in high-speed mode,
f(XIN) = 8 MHz) ......................................................................................................... 3-17
Fig. 3.2.12 PROM version power source current standard characteristics (in high-speed mode,
f(XIN) = 4 MHz) ......................................................................................................... 3-17
Fig. 3.2.13 PROM version power source current standard characteristics (in middle-speed
mode, f(XIN) = 8 MHz) ............................................................................................. 3-18
Fig. 3.2.14 PROM version power source current standard characteristics (in middle-speed
mode, f(XIN) = 4 MHz) ............................................................................................. 3-18
Fig. 3.2.15 PROM version power source current standard characteristics (in low-speed mode)
........................................................................................................................................................ 3-19
Fig. 3.2.16 CMOS output port P-channel side characteristics (Ta = 25 °C) ....................... 3-20
Fig. 3.2.17 CMOS output port N-channel side characteristics (Ta = 25 °C) ...................... 3-20
Fig. 3.2.18 N-channel open-drain output port N-channel side characteristics (Ta = 25 °C) .. 3-21
Fig. 3.2.19 CMOS large current output port N-channel side characteristics (Ta = 25 °C) . 3-21
Fig. 3.2.20 CMOS output port P-channel side characteristics (Ta = 25 °C) ....................... 3-22
Fig. 3.2.21 CMOS output port N-channel side characteristics (Ta = 25 °C) ...................... 3-22
Fig. 3.2.22 N-channel open-drain output port N-channel side characteristics (Ta = 25 °C) .. 3-23
相关PDF资料
PDF描述
M38503E4FP 8-BIT, OTPROM, 4 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO42
M38503M6-XXXFP 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO42
M38503E6SP 8-BIT, OTPROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42
M38504E6FP 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO42
M38504M6-XXXSP 8-BIT, MROM, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDIP42
相关代理商/技术参数
参数描述
M38503G4AFP#U1 功能描述:IC 740/3850 MCU QZ-ROM 42SSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:740/38000 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI,I²C,UART/USART 外围设备:POR,PWM,WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC(J 形引线) 包装:带卷 (TR)
M38503G4ASP#U1 功能描述:IC 740/3850 MCU QZ-ROM 42DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:740/38000 标准包装:250 系列:80C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:16MHz 连通性:EBI/EMI,I²C,UART/USART 外围设备:POR,PWM,WDT 输入/输出数:40 程序存储器容量:- 程序存储器类型:ROMless EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:A/D 8x10b 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:68-LCC(J 形引线) 包装:带卷 (TR)
M38503M2404F 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC
M38503M4A-210SP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
M38504E6FP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 3/5V 24K 42-SSOP - Trays