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参数资料
| 型号： | M38D29FFFP |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, 6.25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-64 |
| 文件页数： | 106/136页 |
| 文件大小： | 2856K |
| 代理商： | M38D29FFFP |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页当前第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页
Rev.3.02
Apr 10, 2008
Page 71 of 131
REJ03B0177-0302
38D2 Group
FLASH MEMORY MODE
The 38D2 Group flash memory version has the flash memory
that can be rewritten with a single power source.
For this flash memory, three flash memory modes are available
in which to read, program, and erase: the parallel I/O and
standard serial I/O modes in which the flash memory can be
manipulated using a programmer and the CPU rewrite mode in
which the flash memory can be manipulated by the Central
Processing Unit (CPU). For details of each mode, refer to the
next and after pages. Contact the manufacturer of your
programmer for the programmer. Refer to the user's manual of
your programmer for details on how to use it.
This flash memory version has some blocks on the flash memory
as shown in Figure 70 and each block can be erased.
In addition to the ordinary User ROM area to store the MCU
operation control program, the flash memory has a Boot ROM
area that is used to store a program to control rewriting in CPU
rewrite and standard serial I/O modes. This Boot ROM area has
had a standard serial I/O mode control program stored in it when
shipped from the factory. However, the user can write a rewrite
control program in this area that suits the user’s application
system. This Boot ROM area can be rewritten in only parallel I/O
mode.
Performance overview
Table 15 lists the performance overview of the 38D2 Group flash
memory version.
NOTE:
1. The Boot ROM area has had a standard serial I/O mode control program stored in it when shipped from the factory.
This Boot ROM area can be erased and written in only parallel I/O mode.
Table 15 Performance overview of 38D2 Group flash memory version
Parameter
Function
Power source voltage (Vcc)
VCC = 2.7 to 5.5 V
Program/Erase VPP voltage (VPP)VCC = 2.7 to 5.5 V
Flash memory mode
3 modes; Parallel I/O mode, Standard serial I/O mode, CPU
rewrite mode
Erase block division
User ROM area/Data ROM area
Refer to Figure 70.
Boot ROM area (1)
Not divided (4K bytes)
Program method
In units of bytes
Erase method
Block erase
Program/Erase control method
Program/Erase control by software command
Number of commands
5 commands
Number of program/Erase times
100
ROM code protection
Available in parallel I/O mode and standard serial I/O mode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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